产品与解决方案
纳米氧化硅低介电粉体
高频高速CCL基板填充材料
纳米氧化硅低介电粉体

可用于提升CCL基板性能的无机填充材料。采用溶胶-凝胶技术制备,在满足传统设计制造需求的基础上,材料的性能参数优化提升:具有低介电常数、低介电损耗、阻燃、粒度分布均匀等特点,可提升终端产品电性能、可靠性、稳定性。

技术特点
Performance Parameter

球形,颗粒0.4-0.6μm,可定制;

填料比例≤20%;

介电常数≤2.9;